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　　例如，“十五”期间，中科院微电子所承担了国家重点基础研究项目“973”课题“亚50纳米器件的关键工艺技术基础研究和器件制备”及“863”课题和多项相关的国家自然科学基金等项目。亚50纳米CMOS器件研制是当时国际上正在开展的前沿性探索研究，尚处于百家争鸣的知识创新和产权竞争中。面临一系列挑战很强的壁垒，如极严重的短沟道效应、驱动能力下降、硼穿透和高场效应、栅隧穿漏电流激增和串联电阻过大等。为应对上述严峻挑战，研究人员在器件设计和关键技术方面自主创新，超指标出色地完成了亚30纳米器件关键技术研究。该成果是我国IC技术领域一项先导性重大突破，于2004年获北京市科学技术奖一等奖，于2005年获国家技术发明奖二等奖。